زمانی که TSMC مجموعه نودهای N3 خود را معرفی کرد، این شرکت فقط در مورد مقیاس منطقی دو مرحله جدید تولید نیمه هادی صحبت کرد. با این حال، معلوم شد که دلیلی برای آن وجود داشته است، زیرا WikiChip تأیید می کند که سلول های بیت SRAM گره های N3 تقریباً با سلول های بیت SRAM گره های N5 یکسان هستند. در سمپوزیوم فناوری TSMC 2023، TSMC جزئیات بیشتری در مورد ترکیب گره N3 خود، از جمله منطق و چگالی SRAM ارائه کرد. برای شروع، گره N3 از خانواده گره های “3 نانومتری” TSMC است که دارای دو محصول است: یک گره پایه N3 (N3B) و یک گره N3 پیشرفته (N3E). N3B پایه از یک طرح جدید (برای TSMC) تماس خود تراز (SAC) استفاده می کند که اینتل در سال 2011 با یک گره 22 نانومتری معرفی کرد، که بازده گره را بهبود می بخشد.
صرف نظر از بهبود چگالی منطقی N3 در مقایسه با “نسل آخر” N5، چگالی SRAM تقریباً یکسان است. در ابتدا، TSMC ادعا کرد که چگالی N3B SRAM 1.2 برابر نسبت به فرآیند N5 است. با این حال، اطلاعات اخیر نشان می دهد که چگالی واقعی SRAM فقط 5٪ تفاوت دارد. با توجه به اینکه SRAM بخش بزرگی از بودجه ترانزیستور و مساحت یک پردازنده را به خود اختصاص می دهد، توجیه هزینه های تولید سرسام آور N3B در زمانی که تقریباً هیچ بهبودی در ناحیه وجود ندارد، دشوارتر است. برای مدتی، مقیاس بندی SRAM از مقیاس منطقی پیروی نمی کرد. با این حال، این دو اکنون کاملاً از هم جدا شده اند.
