سامسونگ ادعا می کند که بازدهی ۶۰ تا ۷۰ درصدی برای گره ۳ نانومتری خود دارد

 

Samsung Electronics در حال رقابت سخت با TSMC برای سفارشات تولید تراشه برای 3 نانومتر است، اولین گره ریخته گری نیمه هادی آن برای پیاده سازی فناوری GAA-FET، پس از نزدیک به یک دهه از گره های مبتنی بر FinFET. SF3، یک گره 3 نانومتری GAA-FET، اواخر امسال وارد تولید انبوه می شود. سامسونگ مدعی بازده ویفر در محدوده 60 تا 70 درصد در مراحل توسعه گره است.gamemaster
این عدد برای جذب مشتریان بسیار مهم است زیرا آنها سفارشات ویفر خود را ابتدا بر اساس بازدهی و در مرحله بعد بر اساس هزینه هر ویفر قرار می دهند.گیم مستر

سامسونگ پس از بحث و جدل در سال 2022 در مورد مهندسی ساخت اعداد بازدهی به مشتریان برای برنده شدن در کسب و کارشان، در تلاش است تا اعتماد را در میان طراحان تراشه بازسازی کند. سامسونگ همچنین اعلام کرد که با تسلط 2023-2024 توسط گره‌های کلاس nm، یعنی SF3 (3GAP) و اصلاح SF3P (3GAP+)، این شرکت شروع به معرفی گره‌های کلاس 2 نانومتری خود در سال‌های 2025-2026 خواهد کرد. مشتریان فعلی سامسونگ برای گره 3 نانومتری خود شامل طراح پردازنده HPC ناشناس و طراح AP موبایل (پردازنده برنامه) هستند.techpowerup